У ході візиту президента США Джо Байдена (Joe Biden) до Південної Кореї він відвідав завод Samsung Electronics, на якому йому мали продемонструвати новий чіп, вироблений за технологією 3 нм. Крім того, Байден висловився про співпрацю з Південною Кореєю, у тому числі в напівпровідниковій сфері.
Це перший візит американського глави держави до азіатської країни з моменту його вступу на посаду – 10 днів тому вступив на посаду і новий президент Південної Кореї Юн Сок Йоль (Yoon Suk-yeol). Триденний візит Байдена розпочався з відвідування комплексу Samsung у м. Пхентхеку – це найбільший у світі завод з виробництва напівпровідникової продукції, він розташований за 70 км на південь від Сеула.
Корейське агентство Yonhap News повідомляє, що особисту екскурсію величезним комплексом американському політику провів віце-президент Samsung Electronics Лі Чже Ен (Lee Jae-yong). Компанія показала пану Байдену 3-нм чіп нового покоління, виготовлений за технологією Gate-All-Around (GAA) – масове виробництво таких напівпровідників стартує найближчими місяцями.
Як кажуть у Samsung, технологія GAA дозволяє знизити розміри компонентів на 35%, забезпечуючи при цьому підвищення продуктивності на 30% або зниження споживання електроенергії на 50% у порівнянні з чіпами на основі техпроцесу 5 нм. Компанія також заявила, що вже проводиться розробка технологічних вузлів 2 нм, а масове виробництво на їх основі заплановано на 2025 рік.
Тим не менш, світовим лідером у контрактному виробництві чіпів залишається тайванська TSMC, яка, за версією аналітиків TrendForce, у IV кварталі минулого року утримувала 52,1% світового ринку, а Samsung, яка посіла друге місце, мала частку лише 18,3%.
Байден наголосив на необхідності технологічного партнерства між США та Південною Кореєю. «Ця фабрика тому є доказом, — сказав він. — Це дає як Кореї, так і Сполученим Штатам конкурентну перевагу у світовій економіці, якщо ми зможемо зберегти стійкість, надійність та безпеку наших ланцюжків постачання».
Добавить комментарий